4H-SiC概述（生长、特性、应用）、Bulk及外延层缺陷、光致发光/拉曼光谱法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/

　　微管缺陷确实位于SiC晶锭表面一个大螺旋的中心，针孔的直径从0.5微米到几微米不等

　　• 晶锭生长过程中的多型体混合——转换、聚结、成核——在TSD周围发生螺旋生长，以弥补多型体的不匹配

　　• 这种方法对所有的晶锭产生了一个参考值，但实际上，它只是对所有晶片的一个近似值

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　　的高压碳化硅解决方案 /

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　　控制研究 /

　　是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都非常稳定。

　　最适用于功率元器件。下表为Si和近几年经常听到的半导体材料的比较。3英寸

　　模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了

　　中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，

　　欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取，Si面4H-

　　是唯一能够热氧化形成SiO2的化合物半导体，所以适合制备MOS型功率器件。

　　衬底的同质外延生长，但是必须将晶片装载到可旋转的大型基座上，这导致基座的直径随着数量或者外延晶片总面积的增加而增加。

　　衬底作为籽晶和扩径生长的起始点，采用物理气相传输(physical vapor transport, PVT)法进行扩径生长获得直径放大的

　　中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。 用于功率器件制作，

　　薄膜生长方法有多种，其中化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD）法具有可以精确控制外延膜厚度和掺杂浓度、

　　衬底上的同质外延实验 /

　　在Vivado Synthesis中怎么使用SystemVerilog接口连接逻辑呢？

　　花了将近一个月的时间，DIY了一个遥控避障小车，分享出来，望大家指教。希望疫情能快点结束，所有人都能平平安安！